De SS wordt gedefinieerd als:
```
$$ SS =\frac{d V_{gs}}{d \log I_{ds}} $$
```
waar:
* $$V_{gs}$$ is de poort-bronspanning
* $$I_{ds}$$ is de stroom van afvoer naar bron
De SS wordt doorgaans gemeten in millivolt per decennium. Een lagere SS duidt op een efficiëntere MOSFET, omdat er minder spanningsschommelingen nodig zijn om de afvoerstroom te veranderen.
De SS wordt beïnvloed door verschillende factoren, waaronder:
* De poortoxidedikte
* De doping van de source- en drainregio's
* De kanaallengte
* De temperatuur
De dikte van het poortoxide is de belangrijkste factor die de SS beïnvloedt. Een dunner poortoxide resulteert in een lagere SS. Een dunner poortoxide maakt de MOSFET echter ook gevoeliger voor defecten.
De doping van de source- en drainregio's heeft ook gevolgen voor de SS. Een hogere dopingconcentratie resulteert in een lagere SS. Een hogere dopingconcentratie verhoogt echter ook de parasitaire weerstand van de MOSFET, waardoor de prestaties ervan kunnen afnemen.
De kanaallengte is een andere belangrijke factor die de SS beïnvloedt. Een kortere kanaallengte resulteert in een lagere SS. Een kortere kanaallengte maakt de MOSFET echter ook gevoeliger voor kortekanaaleffecten, waardoor de prestaties achteruit kunnen gaan.
De temperatuur heeft ook invloed op de SS. Een hogere temperatuur resulteert in een hogere SS. Dit komt omdat de mobiliteit van de ladingsdragers in de MOSFET afneemt naarmate de temperatuur stijgt, waardoor het voor de MOSFET moeilijker wordt om te schakelen tussen de aan- en uit-status.
De SS is een belangrijk verdienste voor MOSFET's, omdat deze aangeeft hoe efficiënt ze kunnen schakelen tussen de aan- en uit-status. Door het ontwerp van de MOSFET te optimaliseren is het mogelijk een lage SS te bereiken, wat de prestaties van de MOSFET kan verbeteren.